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70P258L55BYGI8

更新时间： 2024-02-18 16:24:42
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 168K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

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70P258L55BYGI8 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100
针数：100Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.45最长访问时间：55 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B100
JESD-609代码：e1内存密度：131072 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：100
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA100,10X10,20
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8,2.5/3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.000008 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

70P258L55BYGI8 数据手册

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IDT70P258/248L  
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ± 100mV)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
___  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
DD = 1.8V, VIN = 0V to  
CE = VIH, VOUT = 0V to  
OLL = +2mA  
OHL = -2mA  
OLL = +2mA  
OHL = -2mA  
OLR = +0.1mA  
OHR = -0.1mA  
ILI  
Input Leakage Current  
1
1
µA  
V
VDD  
___  
ILO  
Output Leakage Current  
µA  
VDD  
___  
VOLL  
VOHL  
VOLL  
VOHL  
VOLR  
VOHR  
Output Low Voltage (VDDQL = 3.0V)  
Output High Voltage (VDDQL = 3.0V)  
Output Low Voltage (VDDQL = 2.5V)  
Output High Voltage (VDDQL = 2.5V)  
Output Low Voltage  
0.4  
V
I
___  
2.1  
V
I
___  
0.4  
V
I
___  
2.0  
V
I
___  
0.2  
V
V
I
___  
Output High Voltage  
V
DD - 0.2V  
I
5675 tbl 08  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ±100mV)  
70P258/248  
Ind'l Only  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Version  
Typ.(1)  
15  
Max.  
25  
Unit  
IDD  
Dynamic Operating Current  
(Both Ports Active)  
mA  
IND'L  
IND'L  
IND'L  
L
L
L
CE = VIL, Outputs Open  
(2)  
f = fMAX  
ISB1  
Standby Current (Both Ports  
Inactive)  
2
µA  
mA  
µA  
CE  
R
and CE  
L
= VIH, SEMR = SEML =  
VIH  
8
(2)  
f = fMAX  
(3)  
ISB2  
Standby Current (One Port  
Inactive, One Port Active)  
8.5  
14  
CE"  
A
" = VIL and CE"B" = VIH , Active Port Outputs Open  
(2)  
f = fMAX  
ISB3  
Full Standby Current (Both  
Ports Inactive - CMOS Level SEM  
Both Ports CE  
L
and CE  
R
> VDDQ - 0.2V,  
f = 0  
CE"A" < 0.2V and CE"B" > VDDQ - 0.2V  
IND'L  
IND'L  
L
L
2
8
L
and SEM  
R > VDDQ - 0.2V, VIN > VDDQ - 0.2V or VIN < 0.2V  
(4)  
Inputs)  
M/S = VDD or VSS ,  
(4)  
ISB4  
Standby Current (One Port  
Inactive, One Port Active -  
CMOS Level Inputs)  
8.5  
14  
mA  
V
IN > VDDQ - 0.2V or VIN < 0.2V, Active Port Outputs Open  
(2)  
f = fMAX  
5675 tbl 09  
NOTES:  
1. VDD = 1.8V, TA = +25°C, and are not production tested. IDD DC = 15mA (typ.)  
2. At f = fMAX, address and control lines are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/tRC, and using “AC Test Conditions”.  
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".  
4. If M/S = VSS, then fBUSYL = fBUSYR = 0 for full standby mode.  
6.42  
6
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
70P259L65BYGI8 IDT Dual-Port SRAM, 8KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

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