Datasheet > 70P258L55BYGI8

70P258L55BYGI8

更新时间： 2024-01-24 19:28:00

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	168K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

70P258L55BYGI8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.45	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B100
JESD-609代码：	e1	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	100
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA100,10X10,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8,2.5/3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000008 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

70P258L55BYGI8 数据手册

IDT70P258/248L

Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Industrial Temperature Range

Truth Table II: Semaphore Read/Write Control⁽¹⁾

Inputs

Outputs

R/W

I/O^8-15

I/O0-7

Mode

SEM

DATAOUT

DATA^OUT

DATA^IN

DATAOUT

DATAIN

Read Data in Semaphore Flag

Write DIN0 into Semaphore Flag

Not Allowed

↑

DATAIN

____

Not Allowed

5675 tbl 03

NOTE:

1. There are eight semaphore flags written to via I/O0 and read from all of the I/O's (I/O0-I/O15). These eight semaphores are addressed by A0-A2.

AbsoluteMaximumRatings⁽¹⁾

Symbol

Rating

Commercial

& Industrial

Unit

TERM

Supply Voltage on VDD

with Respect to GND

-0.5 to +2.9

-0.5 to +3.6

VTERM

Supply Voltage on VDDQL

with Respect to GND

(2)

TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

-0.5 to VDD +0.3⁽⁴⁾

(3)

BIAS

STG

Temperature Under Bias

Storage Temperature

Junction Temperature

DC Output Current

-55 to +125

-65 to +150

+150

^oC

OUT (for

DDQL = 3.0V)

OUT (for

DC Output Current

DDQL = 2.5V)

5675 tbl 04

NOTES:

1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent

damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these

or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not

implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect

reliability.

2. VTERM must not exceed VDD + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns maximum, and

is limited to < 20mA for the period over VTERM = VDD + 0.3V.

3. Ambient Temperature under DC Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.

4. V^DDQL+ 0.3V for left port.

6.42

1 2 345 6 7...23

中文翻译

下载PDF

与70P258L55BYGI8相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70P259L65BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P259L65BYI	IDT	Application Specific SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100	获取价格
70P259L65BYI8	IDT	Application Specific SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100	获取价格
70P259L90BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX16, 60ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P259L90BYI	IDT	Application Specific SRAM, 8KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100	获取价格
70P259L90BYI8	IDT	Application Specific SRAM, 8KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100	获取价格

与70P258L55BYGI8相关文章

深入解析CS8416引脚说明、参数、技术特点
2024-06-03

1
TPA3116D2功放芯片参数详解、引脚说明
2024-06-03

5
移位寄存器74HC165引脚说明、驱动程序示例解读
2024-06-03

5
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
2024-06-03

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

70P258L55BYGI8

70P258L55BYGI8 技术参数

70P258L55BYGI8 数据手册

与70P258L55BYGI8相关器件

与70P258L55BYGI8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

70P258L55BYGI8

70P258L55BYGI8 技术参数

70P258L55BYGI8 数据手册

与70P258L55BYGI8相关器件

与70P258L55BYGI8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？