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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QFP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G80 | 内存密度： | 147456 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 80 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16KX9 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7016S25PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016S25PFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016S35GG | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016S35GG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C |
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| 7016S35GGB | IDT |
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暂无描述 |
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| 7016S35GGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016S35GGI | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016S35GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016S35JG | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016S35JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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