Datasheet > 7015S35JGB

7015S35JGB

更新时间： 2024-01-19 19:11:48

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	178K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7015S35JGB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP, QFP80,.64SQ	针数：	80
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G80	JESD-609代码：	e3
长度：	14 mm	内存密度：	73728 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	9
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	80
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX9
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP80,.64SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

7015S35JGB 数据手册

IDT7015S/L

HIGH-SPEED

8K x 9 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features:

◆

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Busy and Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in ceramic 68-pin PGA, 68-pin PLCC, and an 80-

pin TQFP

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Commercial:12/15/17/20/25/35ns(max.)

– Industrial:20ns (max.)

– Military:20/25/35ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT7015S

Active:750mW(typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7015L

◆

Active:750mW(typ.)

Standby: 1mW (typ.)

Green parts available, see ordering information

◆

IDT7015 easily expands data bus width to 18 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

FunctionalBlockDiagram

OEL

OER

CER

CEL

R/WR

R/W

I/O0L- I/O8L

I/O0R-I/O8R

I/O

Control

BUSY_L^(1,2)

(1,2)

BUSY

12L

12R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

M/S

(2)

INTL

INTR

2954 drw 01

NOTES:

1. In MASTER mode: BUSY is an output and is a push-pull driver

In SLAVE mode: BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull drivers.

OCTOBER 2008

DSC 2954/8

12 3 4 5 6 7...20

下载PDF

与7015S35JGB相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
7015S35JGB8	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLAST	获取价格
7015S35JGI	IDT	HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM	获取价格
7015S35JGI8	IDT	HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM	获取价格
7015S35PF9	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	获取价格
7015S35PFB	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	获取价格
7015S35PFG	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7015S35JGB

7015S35JGB 技术参数

7015S35JGB 数据手册

与7015S35JGB相关器件

与7015S35JGB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7015S35JGB

7015S35JGB 技术参数

7015S35JGB 数据手册

与7015S35JGB相关器件

与7015S35JGB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？