是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 24.2062 mm |
内存密度: | 73728 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC68,1.0SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 24.2062 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7015S35JGB8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLAST | |
7015S35JGI | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7015S35JGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7015S35PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
7015S35PFB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
7015S35PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7015S35PFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7015S35PFGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7015S35PFGB8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7015S35PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM |