是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, QFP80,.64SQ | 针数: | 80 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 73728 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 80 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP80,.64SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7015S35PFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7015S35PFGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7015S35PFGB8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7015S35PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7015S35PFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7015-T | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
7015-V | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
7016 | BOURNS |
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Common Mode EMI Chokes | |
70-16 | JST |
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Ring tongue terminal (R-type, Non-insulated) | |
701-6 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS ASSEMBLIES THREE PHASE BRIDGES, 2.5 AMP, STANDARD AND FAST RECOVERY |