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6A2-G

更新时间： 2024-02-29 05:17:29

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General Purpose Rectif

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6A2-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.14
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	10 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

6A2-G 数据手册

General Purpose Rectifiers

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 6A05-G THRU 6A10-G

FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE

PEAK FORWARD SURGE CURRENT

FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

250

200

150

100

Pulse Width 8.3ms

Single Half-Sire-Wave

(JEDEC Method)

60 Hz Resistive or

Inductive load

100

150

100

LEAD TEMPERATURE, ^oC

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

FIG.3 - TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARACTERISTICS

FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

100

TJ=125^oC

1.0

0.1

TJ=25^oC

0.1

TJ=25^oC

PULSE WIDTH=300uS

1% DUTY CYCLE

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

100

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,

VOLTS

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%

FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

1000

100

TJ = 25^oC

f = 1.0 MHZ

Vsig = 50mVp-p

0.1

1.0

4.0 10

100

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

Comchip Technology Corporation Tel: 510-657-8671 Fax: 510-657-8921 www.comchiptech.com

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与6A2-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
6A2G-AP	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-	获取价格
6A2GG	MIC	AXIAL SILASTIC GUARD JUNCTION STANDARD RECTIFIER	获取价格
6A2G-TP	MCC	暂无描述	获取价格
6A2H41	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon,	获取价格
6A2H42	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon,	获取价格
6A2H43	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon,	获取价格