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65PQ015-N3

更新时间： 2024-09-20 07:59:11
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威世 - VISHAY /
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描述
Schottky Rectifier, 65 A

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65PQ015-N3 数据手册

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VS-65PQ015PbF, VS-65PQ015-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 65 A  
FEATURES  
• 125 °C TJ operation (VR < 5 V)  
• Single diode configuration  
• Optimized for OR-ing applications  
• Ultralow forward voltage drop  
Base cathode  
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
1
3
Anode  
Anode  
TO-247AC  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
PRODUCT SUMMARY  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
Package  
TO-247AC  
IF(AV)  
65 V  
15 V  
DESCRIPTION  
VR  
The VS-65PQ015... Schottky rectifier module has been  
optimized for ultralow forward voltage drop specifically for  
the OR-ing of parallel power supplies. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 125 °C  
junction temperature. Typical applications are in parallel  
switching power supplies, converters, reverse battery  
protection, and redundant power subsystems.  
VF at IF  
0.46 V  
IRM max.  
TJ max.  
Diode variation  
870 mA at 100 °C  
125 °C  
Single die  
EAS  
9 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
65  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
15  
tp = 5 μs sine  
65 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
1500  
A
VF  
0.46  
V
TJ  
- 55 to 125  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
TEST CONDITIONS  
VS-65PQ015PbF  
VS-65PQ015-N3  
UNITS  
TJ = 100 °C  
TJ = 125 °C  
15  
5
15  
5
Maximum DC reverse voltage  
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 83 °C, rectangular waveform  
65  
A
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
1500  
Following any rated load  
condition and with rated  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
VRRM applied  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
400  
9
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 4.5 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Revision: 11-Oct-11  
Document Number: 94246  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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