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6116LA45YI

更新时间： 2023-01-03 02:05:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 611K
描述
Application Specific SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24

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6116LA45YI 数据手册

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IDT6116SA/LA  
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)  
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges  
RecommendedOperating  
TemperatureandSupplyVoltage  
Ambient  
RecommendedDC  
OperatingConditions  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
5.0  
0
Max.  
5.5(2)  
0
Unit  
V
Grade  
Temperature  
-55OC to +125OC  
-40OC to +85OC  
0OC to +70OC  
GND  
Vcc  
VCC  
Supply Voltage  
4.5  
Military  
0V  
5.0V± 10%  
5.0V± 10%  
5.0V± 10%  
GND Ground  
0
V
Industrial  
0V  
V
IH  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
3.5  
V
CC +0.5  
V
Commercial  
0V  
-0.5(1)  
0.8  
V
____  
VIL  
3089 tbl 05  
3089 tbl 06  
NOTES:  
1. VIL (min.) = –3.0V for pulse width less than 20ns, once per cycle.  
2. VIN must not exceed VCC +0.5V.  
DC Electrical Characteristics  
(VCC = 5.0V ± 10%)  
IDT6116SA  
IDT6116LA  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
____  
____  
____  
____  
Input Leakage Current  
|ILI|  
V
CC = Max.,  
MIL.  
COM'L.  
10  
5
5
2
µA  
VIN = GND to VCC  
____  
____  
____  
____  
|ILO  
|
Output Leakage Current  
V
CC = Max., CS = VIH  
,
MIL.  
COM'L.  
10  
5
5
2
µA  
V
V
OUT = GND to VCC  
____  
____  
VOL  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
IOL = 8mA, VCC = Min.  
0.4  
0.4  
____  
____  
VOH  
IOH = -4mA, VCC = Min.  
2.4  
2.4  
V
3089 tbl 07  
DCElectricalCharacteristics(1)  
(VCC = 5.0V ± 10%, VLC = 0.2V, VHC = VCC - 0.2V)  
6116SA20  
6116LA20  
6116SA25  
6116LA25  
6116SA35  
6116LA35  
6116SA15  
Com'l  
Only  
Com'l  
Com'l  
Com'l.  
& Ind  
105  
95  
& Ind  
100  
95  
Symbol  
Parameter  
Power  
SA  
Mil  
130  
120  
150  
140  
Mil  
90  
& Ind.  
100  
95  
Mil  
90  
Unit  
ICC1  
Operating Power Supply Current  
105  
95  
mA  
CS < VIL, Outputs Open  
V
CC = Max., f  
=
0
LA  
85  
85  
ICC2  
Dynamic Operating Current  
mA  
mA  
SA  
150  
140  
130  
120  
120  
110  
135  
125  
100  
95  
115  
105  
CS < VIL, Outputs Open  
(2)  
LA  
V
CC = Max., f = fMAX  
ISB  
Standby Power Supply Current  
(TTL Level)  
SA  
LA  
SA  
LA  
40  
35  
2
40  
35  
2
50  
45  
40  
35  
2
45  
40  
10  
0.9  
25  
25  
2
35  
30  
CS > VIH, Outputs Open  
(2)  
V
CC = Max., f = fMAX  
ISB1  
Full Standby Power Supply Current  
(CMOS Level)  
mA  
10  
10  
CS > VHC, VCC = Max.,  
0.1  
0.1  
0.9  
0.1  
0.1  
0.9  
V
IN < VLC or VIN > VHC, f = 0  
3089 tbl 08  
NOTES:  
1. All values are maximum guaranteed values.  
2. fMAX = 1/tRC, only address inputs are cycling at fMAX, f = 0 means address inputs are not changing.  
6.42  
3
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
6116LA55DBRT IDT

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 		Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24
6116LA55EB IDT

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 		Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERAMIC, PACKAGE-24
6116LA55L24 IDT

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