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6116S120CB

更新时间： 2024-02-25 06:41:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	1737K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CDIP20, 0.300 INCH, SIDEBRAZE DIP-20

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6116S120CB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.62
最长访问时间：	150 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T20
长度：	25.781 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	20
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
6116S120D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24
6116S120DB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-16
6116S120DC	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24
6116S120L28	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC28
6116S120L28C	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC28
6116S120L28I	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC28
6116S120L32B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC32
6116S120L32I	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC32
6116S120T	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24
6116S120TB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24