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5SDF02D6004

更新时间： 2024-01-11 15:25:45

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Fast Recovery Diode

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5SDF02D6004 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	D, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	7.1 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	8000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	115 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	175 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5500 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

5SDF02D6004 数据手册

5SDF 02D6004

On-state

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

I_F(AV)MHalf sine wave, T_C= 70 °C

min

typ

max

175

Unit

Max. average on-state

current

Max. RMS on-state current I_F(RMS)

275

3×10³

Max. peak non-repetitive

surge current

I_FSM

t_p= 10 ms, T_vj= 115°C, V_R= 0 V

t_p= 1 ms, T_vj= 115°C, V_R= 0 V

Limiting load integral

I²t

45×10³A²s

8×10³

Max. peak non-repetitive

surge current

I_FSM

Limiting load integral

Characteristic values

Parameter

I²t

32×10³A²s

Symbol Conditions

min

typ

max

7.1

Unit

On-state voltage

Threshold voltage

Slope resistance

V_F

I_F= 520 A, T_vj= 115°C

V_(T0)

r_T

T_vj= 115°C

I_F= 200...1000 A

3.35

7.2

Turn-on

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

max

Unit

Peak forward recovery

voltage

V_FRM

dI_F/dt = 1000 A/µs, T_vj= 115°C

370

Turn-off

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Max. decay rate of on-state di/dt_crit

current

Characteristic values

I_FM= A, T_vj= 115 °C

V_DC-link= 3300 V

220

A/ms

Parameter

Symbol Conditions

max

Unit

Reverse recovery current

Reverse recovery charge

Turn-off energy

I_RM

Q_rr

E_rr

I_FQ= 520 A, V_DC-Link= 3300 V

di/dt = 220 A/µs, L_CL= nH

300

µC

C_CL

µF, R_CL= W, T_j= 115°C

1.8

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1118-02 Okt. 02

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