是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
标称电路换相断开时间: | 80 µs | 最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA |
最大直流栅极触发电压: | 0.8 V | JESD-609代码: | e3 |
最大漏电流: | 2 mA | 湿度敏感等级: | 1 |
通态非重复峰值电流: | 65 A | 最大通态电流: | 5000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 断态重复峰值电压: | 600 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5P6J-ZK-E2-AY | RENESAS | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),5A I(T),TO-252 |
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5P6M | NEC | 2A PLASTIC MOLDED THYRISTOR |
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5P6M | TGS | Triacs sensitive gate |
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5P6SM | ETC | 5P4SM.5P4SMA.5P6SM.5P6SMA Data Sheet | Data Sheet[02/1988] |
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5P6SMA | NEC | P gate all Diffused mold type Thyristor granted 5 A on-state Average current, with rated V |
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5P83904 | RENESAS | 1.8 V to 3.3 V 1:4 Crystal Input to LVCMOS Output High-Performance Clock Fanout Buffer wit |
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