5KP100

更新时间： 2024-11-17 22:18:23

品牌	Logo	应用领域
EIC		/
页数	文件大小	规格书
4页	31K
描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

5KP100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.63	最大击穿电压：	136 V
最小击穿电压：	111 V	击穿电压标称值：	123.5 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	179 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	5000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	8 W
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

5KP100 数据手册

5KP SERIES

TRANSIENT VOLTAGE

SUPPRESSOR

V :

5.0 - 180 Volts

AR - L

PPK : 5000 Watts

FEATURES :

0.053 (1.35)

0.050 (1.27)

* 5000W Peak Pulse Power

* Excellent clamping capability

* Low incremental surge resistance

* Fast response time : typically less

then 1.0 ps from 0 volt to V_BR(min.)

0.250 (6.4)

0.235 (6.0)

* Typical I_Rless then 1 A above 10V

1.00 (25.4)

0.410 (10.4)

0.380 (9.70)

MIN.

MECHANICAL DATA

* Case : Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeter )

* Polarity : Cathode polarity band

* Mounting position : Any

* Weight : 2.73 grams

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bi-directional use C or CA Suffix

Electrical characteristics apply in both directions

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation at tp = 1ms

(Note 1, Fig. 4)

Symbol

Value

Unit

P_PK

Minimum 5000

Watts

Steady State Power Dissipation at T = 75 C

Lead Lengths 0.375", (9.5mm) (Note 2)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half

Sine-Wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC Method) (Note 3)

P_D

8.0

Watts

Amps.

I_FSM

400

Operating and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Note :

(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 5 and derated above Ta = 25 C per Fig. 1

(2) Mounted on Copper Leaf area of 0.79 in (20mm²).

(3) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

UPDATE : SEPTEMBER 6, 2001

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与5KP100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5KP100(C)	GOOD-ARK	获取价格	TVS
5KP100(C)A	GOOD-ARK	获取价格	TVS
5KP100/1	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100V V(RWM), Unidirectional,
5KP100/100	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
5KP100/4H-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP100/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
5KP100/53-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP100/56	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
5KP100/56-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP100/60	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL

与5KP100相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5KP100

5KP100 技术参数

5KP100 数据手册

与5KP100相关器件

与5KP100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5KP100

5KP100 技术参数

5KP100 数据手册

与5KP100相关器件

与5KP100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？