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5962R10A0301VYC

更新时间： 2024-11-20 15:43:35

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		外围集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	389K
描述
Microprocessor Circuit, PBGA349

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5962R10A0301VYC 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	LGA,
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	5.6	JESD-30 代码：	S-PBGA-N349
长度：	25 mm	端子数量：	349
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
认证状态：	Qualified	座面最大高度：	2.77 mm
最大供电电压：	1.95 V	最小供电电压：	1.65 V
标称供电电压：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	25 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：	MICROPROCESSOR CIRCUIT	Base Number Matches：	1

5962R10A0301VYC 数据手册

REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

DATE (YR-MO-DA)

13-02-11

APPROVED

Add case outline Z. Correct the maximum iccsba value in table I. Update

boilerplate in according with MIL-PRF-38535 requirement. - phn

Thomas M. Hess

REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

PMIC N/A

REV

SHEET

PREPARED BY

DLA LAND AND MARITIME

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

http://www.landandmaritime.dla.mil

Phu H. Nguyen

CHECKED BY

Phu H. Nguyen

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

APPROVED BY

10-01-12

THIS DRAWING IS AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

MICROCIRCUIT, DIGITAL, ASIC, CMOS GATE

ARRAY BASED ON SPACEWIRE REMOTE

TERMINAL CONTROLLER, MONOLITHIC

SILICON

DRAWING APPROVAL DATE

Thomas M. Hess

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

CAGE CODE

5962-10A03

67268

SHEET

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E266-13

12 3 4 5 6 7...18

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5962R1121202VXC	INTERSIL	获取价格	3A, Rad Hard, Positive, Ultra Low Dropout Regulator
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