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5962H9215319QZC

更新时间: 2024-01-24 18:17:17
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 1339K
描述
x8 SRAM

5962H9215319QZC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:DFP, TPAK36,1.5,25针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F36JESD-609代码:e4
长度:16.51 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装等效代码:TPAK36,1.5,25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度:2.67 mm最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.202 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子节距:0.64 mm
端子位置:DUAL总剂量:1M Rad(Si) V
宽度:16 mmBase Number Matches:1

5962H9215319QZC 数据手册

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