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5962H9312801VXX

更新时间: 2024-01-02 06:51:33
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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29页 1119K
描述
x1 SRAM

5962H9312801VXX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:DFP,针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:60 ns
JESD-30 代码:R-XDFP-F36长度:16.51 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:36字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度:3.8 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子节距:0.64 mm端子位置:DUAL
总剂量:1M Rad(Si) V宽度:16 mm
Base Number Matches:1

5962H9312801VXX 数据手册

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