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5962H9215401VYX

更新时间: 2024-01-14 05:39:44
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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31页 1193K
描述
x1 SRAM

5962H9215401VYX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-XQCC-N32长度:13.965 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD总剂量:1M Rad(Si) V
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

5962H9215401VYX 数据手册

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