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5962F9582301QXC

更新时间： 2024-01-22 05:24:06

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英特矽尔 - INTERSIL		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
8页	129K
描述
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM

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5962F9582301QXC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	50 ns
JESD-30 代码：	R-CDFP-F28	JESD-609代码：	e4
长度：	18.288 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V	座面最大高度：	2.92 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	300k Rad(Si) V	宽度：	12.446 mm
Base Number Matches：	1

5962F9582301QXC 数据手册

HS-65647RH

Metallization Topology

DIE DIMENSIONS:

GLASSIVATION:

Type: SiO

313 mils x 291 mils x 21 mils ±1mil

Thickness: 8kÅ ±1kÅ

METALLIZATION:

WORST CASE CURRENT DENSITY:

Type: Al/Si/Cu

Metal 1 Thickness: 7500Å ±2kÅ

Metal 2 Thickness: 10kÅ ±2kÅ

1.5 x 10 A/cm

Metallization Mask Layout

HS-65647RH

VSS

VDD

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