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5962-9669105HYX

更新时间： 2024-01-11 08:43:52

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	1068K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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技术参数
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5962-9669105HYX 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-XDIP-T32	JESD-609代码：	e4
长度：	41.91 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	PALLADIUM GOLD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

5962-9669105HYX 数据手册

WMS128K8-XXX

DATA RETENTION CHARACTERISTICS

-55°C ≤ T_A≤ +125°C

Low Power L Version Only

Parameter

Symbol

V_DR

Conditions

CS# ≥ V_CC-0.2V

V_CC= 2V

Min

Max

5.5

Units

Data Retention Supply Voltage

Data Retention Current

2.0

I_CCDR3

400

μA

ORDERING INFORMATION

W M S 128K8 X - XXX X X X

MICROSEMI CORPORATION

MONOLITHIC

SRAM

ORGANIZATION, 128K x 8

IMPROVEMENT MARK

= Low Power for 2V Data Retention

ACCESS TIME (ns)

PACKAGE:

= 32 Pin Ceramic .600" DIP (Package 300)

CL = 32 Pin Rectangular Ceramic Leadless Chip Carrier (Package 601)

DE = 32 Lead Ceramic SOJ (Package 101) Evolutionary

DR = 32 Lead Ceramic SOJ (Package 101) Revolutionary

= 36 Lead Ceramic Flat Pack (Package 226)

FE = 32 Lead Ceramic Flat Pack (Package 220)

DEVICE GRADE:

M = Military Screened -55°C to +125°C

= Industrial

-40°C to +85°C

0°C to +70°C

= Commercial

LEAD FINISH:

Blank = Gold plated leads

= Solder dip leads

Microsemi Corporation reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

Rev. 6

Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.microsemi.com

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