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5962-9560003M8A

更新时间: 2024-01-29 10:36:39
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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32页 1636K
描述
x8 SRAM

5962-9560003M8A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ-36针数:36
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.6
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDSO-J36
长度:23.37 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ36,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:2.79 mm
最大待机电流:0.025 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.225 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.795 mmBase Number Matches:1

5962-9560003M8A 数据手册

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