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5962-9560003M9A

更新时间: 2024-01-10 21:05:53
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
32页 1636K
描述
x8 SRAM

5962-9560003M9A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FP-32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-XDFP-F32JESD-609代码:e0
长度:21.01 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.3 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:11.1633 mm
Base Number Matches:1

5962-9560003M9A 数据手册

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