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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WINDOWED, CERDIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 |
| 长度： | 42.165 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-9323502MXX | INTEL |
获取价格 |
EEPROM, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
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| 5962-9323503MUX | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
|
| 5962-9323503MXX | INTEL |
获取价格 |
EEPROM, 256KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
|
| 5962-9323504MUX | INTEL |
获取价格 |
EEPROM, 256KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CERAMIC, FP-32 |
|
| 5962-9323504MXX | INTEL |
获取价格 |
EEPROM, 256KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
|
| 5962-9323505MXX | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| 5962-9323506MXX | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
|
| 5962-9323507MXX | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| 5962-9323508MXX | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
|
| 5962-9323801MCA | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier |
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