生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.66 |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
周期时间: | 65 ns | 长度: | 37.1475 mm |
内存密度: | 147456 bit | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9317701MYA | IDT | FIFO, 16KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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5962-9317701MYX | IDT | 暂无描述 |
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5962-9317702MXX | IDT | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, CERAMIC, DIP-28 |
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5962-9317702MYX | IDT | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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5962-9317702MZA | WEDC | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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5962-9317702QTC | MICROCHIP | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS |
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