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5962-9315705HXA

更新时间： 2024-01-31 14:16:40

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	42K
描述
Multi-Port SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS, CDIP32,

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5962-9315705HXA 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.15	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.007 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-9315705HXC	ETC	获取价格	x8 SRAM Module
5962-9315705HYA	ETC	获取价格	x8 SRAM Module
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5962-9315706HXX	MICROSEMI	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC,
5962-9315706HYA	ETC	获取价格	x8 SRAM Module
5962-9315706HYC	ETC	获取价格	x8 SRAM Module
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