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5962-9315302MXX

更新时间： 2024-02-14 06:00:43

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5962-9315302MXX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCN,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
JESD-609代码：	e0	长度：	14.224 mm
内存密度：	36864 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4KX9
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	3.048 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14.224 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-9315303MXA	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX9, 20ns, BICMOS, CQCC68, LCC-68
5962-9315303MXX	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX9, 20ns, BICMOS, LCC-68
5962-9315401HXX	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMI
5962-9315402HXC	WEDC	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32,
5962-9315402HXX	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMI
5962-9315501HXX	ETC	获取价格	x8 EEPROM
5962-9315501HYX	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA
5962-9315502HXC	WEDC	获取价格	IC 256K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, C
5962-9315502HXX	ETC	获取价格	x8 EEPROM
5962-9315502HYX	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA