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5962-9168203MYX

更新时间: 2024-02-10 17:10:32
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页数 文件大小 规格书
28页 1103K
描述
x8 Flash EEPROM

5962-9168203MYX 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns命令用户界面:NO
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
部门数/规模:1K端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B部门规模:128
最大待机电流:0.0003 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

5962-9168203MYX 数据手册

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