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5962-9089912MYX

更新时间： 2024-02-29 01:49:25

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其他 - ETC		闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON

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5962-9089912MYX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	12 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class Q	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

5962-9089912MYX 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics - Continued.

Test

Symbol

Conditions

+125 C 1/

5.5 V

unless otherwise specified

Group A

Subgroups

Device

type

Limits

Units

-55 C

4.5 V

Min

Max

AC CHARACTERISTICS - READ ONLY OPERATIONS - Continued. (See figure 5 as applicable.)

Output enable

access time

9, 10, 11

01,05

02,06

03,07,10,

11,12

04,08,13

GLQV

Chip enable to

output in low Z

9, 10, 11

All

0 2/

ELQX

EHQZ

GLQX

GHQZ

Chip disable to

output in high Z

All

Output enable to

output in low Z

0 2/

Output disable to

output in high Z

01,05

02,06

03,07,10,

11,12

04,08,09,

Output hold from

address, CE, or

OE change

9, 10, 11

All

0 2/

6.0

µs

AXQX

Write recovery

time before read

All

WHGL

ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE

Chip erase

Excludes 00H programming

9, 10, 11

All

Chip program

Excludes system overhead 4/ 9, 10, 11

1/ Case temperatures are instant on.

2/ Parameters shall be tested as part of device initial characterization and after design and process change. Parameter

shall be guaranteed to the limits specified in table I for all lots not specifically tested.

3/ Whichever occurs first.

4/ Minimum byte programming time excluding system overhead is 16 µs (10 µs programming +6.0 µs write recovery), while

maximum is 400 µs/byte (16 µs x 25 loops allowed by algorithm). Maximum chip programming time is specified lower

than the worst case allowed by the programming algorithm since most bytes program significantly faster than the worst

case byte.

SIZE

STANDARD

5962-90899

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

REVISION LEVEL

SHEET

COLUMBUS, OHIO 43216-5000

DSCC FORM 2234

APR 97

1...6 7 8910 11 12...27

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