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5962-9089910QYA

更新时间： 2024-01-25 08:29:16

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其他 - ETC		闪存内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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27页	208K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON

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5962-9089910QYA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	12 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class Q	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

5962-9089910QYA 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics - Continued.

Test

Symbol

Conditions

Group A

Device

type

Limits

Units

-55 C

4.5 V

+125 C 1/ Subgroups

5.5 V

Min

Max

unless otherwise specified

CAPACITANCE 2/

Input capacitance

= 0 V, T = 25 C,

All

IN1

f = 1.0 Mhz, see 4.4.1c

Output capacitance

= 0 V, T = 25 C,

All

OUT

f = 1.0 Mhz, see 4.4.1c

input capacitance

= 0 V, T = 25 C,

IN2

f = 1.0 Mhz, see 4.4.1c

AC CHARACTERISTICS - READ ONLY OPERATIONS (See figure 5 as applicable.)

Read cycle time

9, 10, 11

01,05,10

02,06,11

03,07,12

04,08,13

250

200

150

120

AVAV

Chip enable access

time

9, 10, 11

01,05,10

02,06,11

03,07,12

04,08,13

250

200

150

120

ELQV

Address access

time

01,05,10

02,06,11

03,07,12

04,08,13

250

200

150

120

AVQV

See footnotes at end of table.

SIZE

STANDARD

5962-90899

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43216-5000

REVISION LEVEL

SHEET

DSCC FORM 2234

APR 97

1...5 6 789 10 11...27

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