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5962-9089911MXA

更新时间： 2024-01-12 06:30:06

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其他 - ETC		闪存内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
27页	1650K
描述
x8 Flash EEPROM

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5962-9089911MXA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class Q	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-9089911MXX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089911MYA	ETC	x8 Flash EEPROM	获取价格
5962-9089911MYX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089911QUA	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089911QXA	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089911QYA	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格