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5962-9069603MLB

更新时间: 2024-02-06 08:03:58
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 828K
描述
x4 SRAM

5962-9069603MLB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:10 nsJESD-609代码:e0
长度:31.877 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256X4封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm

5962-9069603MLB 数据手册

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