生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCN, LCC52,.75SQ | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N52 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC52,.75SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9062008MXX | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 | |
5962-9062009MXA | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 | |
5962-9062009MXX | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 | |
5962-9062010MXX | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
5962-9062011MXA | WEDC |
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IC 2K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CQCC, CERAMIC, LCC-52, Static RAM | |
5962-9062011MXX | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
5962-9062012MXX | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 | |
5962-9062201MMA | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
5962-9062201MMX | WEDC |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 120ns, CMOS, 0.708 X 0.415 INCH, 0.117 INCH HEIGHT, FP-20 | |
5962-9062201MNA | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |