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5962-8959847VTC

更新时间： 2024-01-20 10:04:00

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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15页	337K
描述
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM

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5962-8959847VTC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
JESD-30 代码：	R-XDIP-T32	JESD-609代码：	e4
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.89 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	GOLD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

5962-8959847VTC 数据手册

Data Retention Characteristics

Typical

Parameter

Description

_CCfor data

Minimum

TA = 25 °C

Maximum

Unit

VCCDR

2.0

–

retention

Chip

deselect to

data

0.0

–

TCDR

retention

time

Operation

recovery

time

TAVAV⁽¹⁾

–

Data

retention

current at

2.0V

ICCDR1⁽²⁾

–

0.1

150

µA

Data

retention

current at

3.0V

ICCDR2⁽²⁾

–

0.2

200

µA

Notes: 1. TAVAV = Read Cycle Time

2. CS1 = V_CCor CS2 = CS1 = GND, Vin = GND/V_CC, this parameter is only tested at

_CC= 2V.

Write Cycle

Symbol

TAVAW

TAVWL

Parameter

65608-30

65608-45

Unit

Value

min

Write cycle time

Address set-up time

min

Address valid to end of

write

TAVWH

min

max

min

TDVWH

TE1LWH

TE2HWH

TWLQZ

TWLWH

Data set-up time

CS1 low to write end

CS2 high to write end

Write low to high Z⁽¹⁾

Write pulse width

Address hold from to

end of write

TWHAX

min

TWHDX

TWHQX

Data hold time

Write high to low Z⁽¹⁾

Note:

1. Parameters guaranteed, not tested, with output loading 5 pF.

M65608E

4151I–AERO–03/04

1...4 5 678 9 10...15

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