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5962-8959847VTC

更新时间： 2024-01-04 20:31:27

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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15页	337K
描述
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM

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技术参数
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5962-8959847VTC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
JESD-30 代码：	R-XDIP-T32	JESD-609代码：	e4
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.89 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	GOLD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

5962-8959847VTC 数据手册

DC Parameters

DC Test Conditions

Table 3. DC Test Conditions

TA = -55°C to + 125°C; Vss = 0V; V_CC= 4.5V to 5.5V

Symbol

Description

Minimum

Typical

Maximum

Unit

Input leakage

current

IIX ⁽¹⁾

-1

–

µA

Output leakage

current

IOZ⁽¹⁾

-1

–

0.4

–

µA

VOL ⁽²⁾

VOH ⁽³⁾

Output low voltage

Output high

voltage

2.4

GND < Vin < V_CC, GND < Vout < V_CCOutput Disabled.

_CCmin. IOL = 8 mA.

_CCmin. IOH = -4 mA.

Consumption

Symbol

Description

65608E-30

65608E-45

Unit

Value

Standby supply

current

ICCSB ⁽¹⁾

ICCSB1 ⁽²⁾

ICCOP ⁽³⁾

max

Standby supply

current

300

130

300

100

µA

max

Dynamic operating

current

CS1 > V_IHor CS2 < V_ILand CS1 < V_IL.

CS1 > V_CC- 0.3V or, CS2 < GND + 0.3V and CS1 < 0.2V.

F = 1/TAVAV, Iout = 0 mA, W = OE = V_IH, Vin = GND or V_CC, V_CCmax.

M65608E

4151I–AERO–03/04

1 2 3 456 7 8...15

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