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5962-8959847VTC

更新时间: 2024-01-06 16:31:11
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爱特美尔 - ATMEL 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 337K
描述
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM

5962-8959847VTC 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
Is Samacsys:N最长访问时间:30 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T32JESD-609代码:e4
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Qualified筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:5.89 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:10 mm
Base Number Matches:1

5962-8959847VTC 数据手册

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Pin Description  
Table 1. Pin Names  
Names  
Description  
Address inputs  
Data Input/Output  
Chip select 1  
Chip select 2  
Write Enable  
Output Enable  
Power  
A0 - A16  
I/O0 - I/O7  
CS1  
CS2  
WE  
OE  
VCC  
GND  
Ground  
Table 2. Truth Table  
Inputs/  
CS1  
CS2  
W
OE  
Outputs  
Mode  
Deselect/  
H
X
L
X
X
Z
Z
Power-down  
Deselect/  
X
X
X
power-down  
L
L
H
H
H
L
L
Data Out  
Data In  
Read  
Write  
X
Output  
Disable  
L
H
H
H
Z
Note:  
L = low, H = high, X = H or L, Z = high impedance.  
3
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4151I–AERO–03/04  

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