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5962-8959807MNX

更新时间: 2024-02-22 10:30:19
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其他 - ETC 静态存储器
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14页 391K
描述
x8 SRAM

5962-8959807MNX 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62Is Samacsys:N
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T32
长度:40.64 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.34 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

5962-8959807MNX 数据手册

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