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5962-8866512UA

更新时间： 2024-01-11 08:19:47

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器
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27页	900K
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x16 Dual-Port SRAM

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5962-8866512UA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	PGA
包装说明：	PGA, PGA68,11X11	针数：	68
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.35
Samacsys Confidence：		Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	11321007	Samacsys Pin Count：	68
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	GU68_1	Samacsys Released Date：	2020-02-20 10:58:45
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPGA-P68
JESD-609代码：	e0	长度：	29.464 mm
内存密度：	32768 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX16	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA68,11X11
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.207 mm
最大待机电流：	0.004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.285 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	29.464 mm
Base Number Matches：	1

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