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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.88 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-XPGA-P68 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | PGA | 封装等效代码： | PGA68,11X11 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.26 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-8861002UA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8861002XA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8861002YA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8861002ZA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8861003UA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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x16 Dual-Port SRAM |
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x16 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8861003ZA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8861004UA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8861004XA | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |
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