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5962-8852515ZX

更新时间: 2024-01-26 21:36:58
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 659K
描述
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28

5962-8852515ZX 技术参数

生命周期:Active包装说明:FP-28
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.65
Is Samacsys:N最长访问时间:150 ns
JESD-30 代码:R-CDFP-F28长度:18.285 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class C座面最大高度:3.02 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
最长写入周期时间 (tWC):3 msBase Number Matches:1

5962-8852515ZX 数据手册

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AT28C256  
29.7 28T – TSOP  
PIN 1  
0º ~ 5º  
c
Pin 1 Identifier Area  
D1  
D
L
b
L1  
e
A2  
E
GAGE PLANE  
A
SEATING PLANE  
COMMON DIMENSIONS  
(Unit of Measure = mm)  
A1  
MIN  
MAX  
1.20  
0.15  
1.05  
13.60  
NOM  
NOTE  
SYMBOL  
A
A1  
A2  
D
0.05  
0.90  
13.20  
11.70  
7.90  
0.50  
1.00  
Notes:  
1. This package conforms to JEDEC reference MO-183.  
2. Dimensions D1 and E do not include mold protrusion. Allowable  
protrusion on E is 0.15 mm per side and on D1 is 0.25 mm per side.  
3. Lead coplanarity is 0.10 mm maximum.  
13.40  
11.80  
8.00  
D1  
E
11.90 Note 2  
8.10  
0.70  
Note 2  
L
0.60  
L1  
b
0.25 BASIC  
0.22  
0.17  
0.10  
0.27  
0.21  
c
e
0.55 BASIC  
12/06/02  
DRAWING NO. REV.  
28T  
TITLE  
2325 Orchard Parkway  
San Jose, CA 95131  
28T, 28-lead (8 x 13.4 mm) Plastic Thin Small Outline  
Package, Type I (TSOP)  
C
R
23  
0006M–PEEPR–12/09  

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