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5962-3829411MYX

更新时间: 2024-02-23 03:13:34
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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65页 2085K
描述
x8 SRAM

5962-3829411MYX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.22最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

5962-3829411MYX 数据手册

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