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Datasheet > 5962-3826705QZM
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5962-3826705QZM

更新时间： 2024-01-20 14:32:34
品牌 Logo 应用领域
麦斯威 - MAXWELL 存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
40页 315K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON

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5962-3826705QZM 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DFP
包装说明：DFP,针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.04
最长访问时间：150 ns其他特性：100 YEAR DATA RETENTION
数据保留时间-最小值：100JESD-30 代码：R-CDFP-F32
长度：20.828 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：128KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883
座面最大高度：3.1242 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：11.049 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

5962-3826705QZM 数据手册

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TABLE I. Electrical performance characteristics.  
|
|
|
|
|
|
|
|
Test  
|Symbol |  
|
|
|
|
|I  
|
|
|I  
|
Conditions  
-55 C +125 C  
= 0 V; 4.5 V  
| Group A | Device  
|subgroups | types  
|
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
Limits  
|
| Unit  
|
|
|
|
T
C
| V  
|
|
|V  
|
|
|V  
|
V
5.5 V  
|
|
|
| Min | Max  
|
|
| -5  
|
|
SS  
CC  
unless otherwise specified  
|
|
|
|
|
|
|
|
High level input current  
Low level input current  
= 5.5 V, V = 5.5 V  
| All  
|
|
| All  
|
5
5
| µA  
|
|
| µA  
|
IH  
IL  
CC  
IN  
= 5.5 V, V = 0.1 V  
IN  
| 1, 2, 3  
|
| -5  
|
CC  
|
|
|
|
| 16-19  
| -100 | 100  
|
|
|
| For RES input  
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
High impedance output  
leakage current 1/  
|I  
|
|
|
|I  
|
|
|
|V  
|
|
|
|V  
|
|
|
|V  
|
|
|V  
|V  
|
OE  
V
| 1, 2, 3  
|
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
|
|
|
| -10  
|
|
|
| 10  
|
|
|
|
|
OZH  
OZL  
IH  
CC  
CC  
O
= 5.5 V, V = 5.5 V  
| All  
|
|
|
|
|
| All  
|
|
|
| All  
|
|
|
| 01-15  
|
| 16-19  
|
| All  
|
|
| 01-15 | 12  
|
|
| µA  
|
|
|
|
|
|
|V  
|V  
|
OE  
V
| -10  
| 10  
IH  
CC  
CC  
= 5.5 V, V = 0.0 V  
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
O
|
Output high voltage  
Output low voltage  
Input high voltage 2/  
|I  
= -400 µA, V = 4.5 V  
CC  
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.4  
| V  
OH  
OL  
IH  
OH  
|V = 2.0 V, V = 0.8 V  
|
|
|
IH  
IL  
|
|
|I  
= 2.1 mA, V  
= 4.5 V  
CC  
IL  
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0.4 | V  
OL  
|V = 2.0 V, V = 0.8 V  
|
|
|
IH  
|
|
|V  
|
= 5.5 V  
= 4.5 V  
2.0  
2.2  
6.0 | V  
CC  
|
|
|
|
|
6.0  
|
|V  
|
|
|V  
|
Input low voltage 2/  
OE high voltage  
|V  
|
| -0.5  
|
|
0.8 | V  
IL  
CC  
|
|
|
|
|
|
| 13  
|
| V  
|
H
|
|
|
|V  
- |V  
+ |  
CC  
CC  
RES high voltage  
|
| 16-19 | 0.5  
| 1.0  
|
|
|I  
|
|
|
|
|
|
|I  
|
|
|
|
|I  
|
|
|
|V  
|
|
| 01-06,  
| 08,13,  
| 16,17  
| 07,18,  
| 19  
| 09-12,  
| 14,15  
|
| All  
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Operating supply current  
= 5.5 V, WE = V  
,
| 1, 2, 3  
|
|
|
|
|
|
| 1, 2, 3  
|
|
|
| 80  
|
| 100  
|
| 120  
|
|
|
|
|
|
|
| mA  
|
|
|
|
|
|
CC1  
CC  
IH  
|CE = OE = V  
|f = 1/t  
IL  
min  
AVAV  
|
|
|
|V  
|
Standby supply current  
TTL  
= 5.5 V, CE = V  
,
3
| mA  
CC2  
CC3  
CC  
all I/O's = open,  
IH  
|
|
|
|
|OE = V , f = 0 Hz  
|
|
|V = 5.5 V, CE = V  
|Inputs = V , I/O's = open,  
IL  
|
|
Standby supply current  
CMOS  
-0.3 V  
| 1, 2, 3  
| 01-07  
| 08-12  
| 13-15,  
| 16-19  
| 850 | µA  
CC  
CC  
|
|
|
| 500  
| 350  
|
|
|
|
IH  
|OE = V , f = 0 Hz  
IL  
|
|
See footnotes at end of table.  
SIZE  
STANDARD  
5962-38267  
A
MICROCIRCUIT DRAWING  
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS  
COLUMBUS, OHIO 43216-5000  
REVISION LEVEL  
G
SHEET  
8
DSCC FORM 2234  
APR 97  
1...567891011...40

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