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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.135 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-01-420-4926 | TI |
获取价格 |
IC,TIMER,QFP,60PIN,PLASTIC |
|
| 5962-01-420-8919 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CQCC20 |
|
| 5962-01-420-8924 | XICOR |
获取价格 |
Digital Potentiometer, CMOS, CDIP8, |
|
| 5962-01-421-4812 | CYPRESS |
获取价格 |
EE PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CQCC20 |
|
| 5962-01-421-7783 | ADI |
获取价格 |
IC,A/D CONVERTER,SINGLE,12-BIT,BICMOS,DIP,24PIN |
|
| 5962-01-421-8925 | MICROCHIP |
获取价格 |
EPROM, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, |
|
| 5962-01-421-9150 | TI |
获取价格 |
JBAR-KBAR FLIP-FLOP |
|
| 5962-01-421-9344 | MAXIM |
获取价格 |
Battery Charge Controller, Voltage-mode, 0.05A, 56kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDIP8 |
|
| 5962-01-422-3117 | RENESAS |
获取价格 |
IC,FLIP-FLOP,QUAD,D TYPE,ACT-CMOS,SOP,16PIN,PLASTIC |
|
| 5962-01-422-8907 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, CPGA68 |
|
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