是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | DILCC6,.25 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.63 |
JESD-609代码: | e3 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
端子数量: | 6 | 最大工作频率: | 1417 MHz |
最小工作频率: | 10 MHz | 标称工作频率: | 1417 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出低电流: | 32 mA | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | DILCC6,.25 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Oscillators |
最大压摆率: | 130 mA | 标称供电电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
550AF1417M000DGR | SILICON |
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VCXO, Clock, 10MHz Min, 1417MHz Max, 1417MHz Nom | |
550AF146M286DG | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 146.286MHz Nom | |
550AF148M500DG | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 148.5MHz Nom | |
550AF155M520DGR | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 155.52MHz Nom | |
550AF200M000DG | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 200MHz Nom | |
550AF200M000DGR | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 200MHz Nom | |
550AF248M832DG | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 248.832MHz Nom | |
550AF248M832DGR | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 248.832MHz Nom | |
550AF26M0000DG | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 26MHz Nom | |
550AF27M0000DG | SILICON |
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Oscillator, 10MHz Min, 1417MHz Max, 27MHz Nom |