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514100A90M/BUAJC

更新时间: 2024-11-30 07:24:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 1372K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC

514100A90M/BUAJC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SON, SOLCC20/26,.35Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:90 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDSO-N20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:SON封装等效代码:SOLCC20/26,.35
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.08 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

514100A90M/BUAJC 数据手册

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