50RIA60S90

更新时间： 2024-02-28 10:01:06

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英飞凌 - INFINEON		栅极触发装置可控硅整流器
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8页	209K
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MEDIUM POWER THYRISTORS

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50RIA60S90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-65
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	100 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	80 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

50RIA60S90 数据手册

50RIA Series

Bulletin I2401 rev. A 07/00

Switching

Parameter

di/dt Max. rate of rise of turned-on

current _DRM≤ 600V

_DRM≤ 1600V

Typical delay time

50RIA

Units Conditions

T_C= 125°C, V_DM= rated V_DRM

A/µs Gate pulse = 20V, 15Ω, t = 6µs, t = 0.1µs max.

200

100

0.9

I_TM= (2x rated di/dt) A

T_C= 25°C V_DM= rated V_DRMI_TM= 10A dc resistive circuit

Gate pulse = 10V, 15Ω source, t = 20µs

µs

Typical turn-off time

110

T_C= 125°C, I_TM= 50A, reapplied dv/dt = 20V/µs

dir/dt = -10A/µs, V_R=50V

Blocking

Parameter

50RIA

Units Conditions

T_J= T_Jmax. linear to 100% rated V_DRM

T_J= T_Jmax. linear to 67% rated V_DRM

dv/dt Max. critical rate of rise of

off-state voltage

200

V/µs

500 (*)

(*) Available with dv/dt = 1000V/µs, to complete code add S90 i.e. 50RIA160S90.

Triggering

Parameter

50RIA

Units Conditions

P_GM

Maximum peak gate power

T_J= T_Jmax, t ≤ 5ms

P_G(AV)Maximum average gate power

I_GMMax. peak positive gate current

2.5

+V_GMMaximum peak positive

gate voltage

-V_GMMaximum peak negative

gate voltage

I_GT

DC gate current required

to trigger

250

100

T_J= - 40°C

T_J= 25°C

T_J= 125°C

T_J= - 40°C

T_J= 25°C

Max. required gate trigger

current/voltage are the

lowest value which will trigger

all units 6V anode-to-cathode

applied

V_GT

DC gate voltage required

to trigger

3.5

2.5

Max. gate current/ voltage not to

trigger is the max. value which

will not trigger any unit with rated

V_DRManode-to-cathode applied

T_J= T_Jmax

I_GD

DC gate current not to trigger

DC gate voltage not to trigger

5.0

0.2

_DRM= rated voltage

V_GD

T_J= T_Jmax

www.irf.com

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