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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-65 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.28 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 110 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-208AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大漏电流： | 15 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 1250 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 50000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 80 A |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 50RIA80S90M | INFINEON |
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MEDIUM POWER THYRISTORS |
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| 50RIA80S90M | VISHAY |
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Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
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| 50RIA80S90MPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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| 50RIA80S90MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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| 50RIA80S90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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| 50RIF100W10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| 50RIF100W20 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| 50RIF100W40 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| 50RIF10W10 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50000mA I(T), 100V V(DRM) |
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| 50RIF10W15 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 50000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
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