5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.11 | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-208AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 78.5 A |
| 参考标准： | CECC | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 50RIA40M | VISHAY |
获取价格 |
Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
|
| 50RIA40M | INFINEON |
获取价格 |
MEDIUM POWER THYRISTORS |
|
| 50RIA40MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 50RIA40MS90 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 50000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme |
|
| 50RIA40MS90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 50RIA40PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 50RIA40S90 | VISHAY |
获取价格 |
Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
|
| 50RIA40S90 | INFINEON |
获取价格 |
MEDIUM POWER THYRISTORS |
|
| 50RIA40S90M | VISHAY |
获取价格 |
Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
|
| 50RIA40S90M | INFINEON |
获取价格 |
MEDIUM POWER THYRISTORS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
