5082-2900

更新时间： 2025-08-19 12:50:03

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ASI		肖特基二极管微波混频二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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5082-2900 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	1.2 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.4 V
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-60 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
最大反向恢复时间：	0.0001 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

5082-2900 数据手册

5082-2900

SCHOTTKY BARRIER DIODE

PACKAGE STYLE 15

DESCRIPTION:

The ASI 5082-2900 is a Silicon Small

Signal Schottky Diode for General

Purpose UHF/VHF Detection and Pulse

Applications. Color Band Indicates

Cathode.

MAXIMUM RATINGS

35 mA

20 V

I_F

V_R

100 mW @ T_A= 25 °C

-60 °C to +200 °C

-60 °C to +100 °C

1750 °C/W

P_DISS

T_J

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

V_R= 5.0 V

I_F= 1.0 mA

I_F= 20 mA

V_R= 0 V

I_R

100

0.4

1.0

1.2

100

V_F

C_T

f = 1.0 MHz

I_F= 20 mA

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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