是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.59 | 雪崩能效等级(Eas): | 460 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 12 pF | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 16 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 160 ns | 最大开启时间(吨): | 140 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
4N80G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80-KA | UTC |
获取价格 |
N-CH | |
4N80L-T2Q-T | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80L-TA3-T | UTC |
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4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80L-TF1-T | UTC |
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4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80L-TF2-T | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80L-TF3-T | UTC |
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4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80L-TM3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET | |
4N80L-TN3-R | UTC |
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4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET |