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4N60D

更新时间： 2023-12-06 20:03:50

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
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4页	1056K
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场效应晶体管

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4N60D 数据手册

4N60I/4N60D

PACKAGE OUTLINE

Plastic surface mounted package

TO-251

2.200

0.500

0.460

6.500

5.100

2.400

0.700

0.580

6.700

5.460

4.830 Typ.

6.000

2.186

6.200

2.386

12.000

12.600

5.100 Typ.

1.400

1.100

0.000

1.700

1.300

0.300

5.350 Typ.

All Dimensions in mm

PACKAGE OUTLINE

Plastic surface mounted package

TO-252

4.95

5.40

6.05

2.20

0.40

8.80

5.59

6.63

7.10

2.40

0.61

10.60

5.35 Typ.

1.98

0.50

0.45

2.59

0.90

1.20

0.89

All Dimensions in mm

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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与4N60D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
4N60-E	UTC	N-CH	获取价格
4N60G-K08-5060-R	UTC	4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
4N60G-S-TMS2-T	UTC	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
4N60G-S-TQ2-R	UTC	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
4N60G-T2Q-T	UTC	4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
4N60G-TA3-T	UTC	4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格