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4N60D

更新时间： 2023-12-06 20:03:50

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
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4页	1056K
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场效应晶体管

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4N60D 数据手册

4N60I/4N60D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS@ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX UNIT

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V,I_D=250μA

V_DS=600V, V_GS=0V

V_DS=0V, V_GS=20V

V_DS=0V, V_GS=-20V

V_DS=V_GS, I_D=250μA

600

μA

Gate-body Leakage

Forward

Reverse

I_GSS

μA

-1

4.0

Gate Threshold Voltage (Note1)

Static drain-Source on-resistance

(Note1)

V_GS(th)

R_DS(ON)

2.0

V_GS=10V,I_D=2A,

I_DS=4A, V_GS=0V

2.3

Ω

Diode Forward Voltage

Input Capacitance

(Note1)

V_SD

C_iss

C_oss

C_rss

1.5

560

Output Capacitance

V_DS=25V,V_GS=0V,f=1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

4.8

Notes:

1.Pulse Test : Pulse Width≤300μs, duty cycle≤2%.

TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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