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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> 3N248
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3N248

更新时间： 2024-11-09 02:59:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 44K
描述
Bridge Rectifiers

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3N248 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.1其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-30 代码：R-PSIP-W4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：165 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大功率耗散：3.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

3N248 数据手册

 浏览型号3N248的Datasheet PDF文件第2页浏览型号3N248的Datasheet PDF文件第3页 
KBP005M/3N246 - KBP10M/3N252  
Features  
• Surge overload rating: 50 amperes  
peak.  
• Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique.  
~
~
-
• UL certified, UL #E111753.  
+
KBPM  
Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
005M 01M 02M 04M 06M 08M 10M  
Symbol  
Parameter  
Units  
246  
50  
247  
100  
70  
248  
200  
140  
200  
249  
400  
280  
400  
250  
600  
420  
600  
251  
800 1000  
560 700  
800 1000  
252  
VRRM  
VRMS  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
V
V
35  
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
50  
100  
IF(AV)  
Average Rectified Forward Current,  
@ TA = 50°C  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
1.5  
50  
A
A
IFSM  
Storage Temperature Range  
-55 to +165  
-55 to +165  
C
C
Tstg  
TJ  
°
°
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,* per leg  
3.5  
40  
W
RθJA  
C/W  
°
*Device mounted on PCB with 0.47 x 0.47" (12 x 12 mm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Device  
Units  
VF  
Forward Voltage, per bridge @ 1.0 A  
@ 3.14 A  
1.0  
1.3  
V
V
IR  
Reverse Current, total bridge @ rated VR  
5.0  
500  
A
A
A2s  
µ
µ
T = 25 C  
°
A
T = 100 C  
°
A
I2t rating for fusing  
t < 8.35 ms  
10  
15  
CT  
Total Capacitance, per leg  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
pF  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
KBP005M/3N246-KBP10M/3N252, Rev. C  
123

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3N248 替代型号

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